| Разработчики: | ИПФ РАН - Институт прикладной физики Федеральный исследовательский центр |
| Дата премьеры системы: | 2022/10/21 |
| Отрасли: | Электротехника и микроэлектроника |
Основные средства:
- Оборудование для производства чипов (мировой рынок)
- Электронная промышленность (рынок России)
- Микроэлектроника (мировой рынок)
2022: Ход разработки литографа для выпуска чипов с топологией 7 нм
В Институте прикладной физики Российской академии наук (ИПФ РАН) в Нижнем Новгороде ведется разработка российской установки литографии для производства микроэлектроники сверхмалого нанометража. Об этом стало известно 21 октября 2022 года.
Учеными РАН на октябрь 2022 года создан демонстрационный образец оборудования. На этой установке получены отдельные изображения на подложках с разрешением до предельных 7 нм.
«Микрон» — контрактный вендор полупроводников, который способен выпускать относительно актуальные чипы. На предприятии освоен выпуск микросхем по топологии 65 нм, но лишь для штучных партий — инженерных образцов. Массовое же производство налажено лишь для топологии не ниже 90 нм.Метавселенная ВДНХ 
Промышленный образец отечественного литографа на 7 нм планируется создать через шесть лет. Так, в 2024 г. будет создана «альфа-машина». Такая установка станет рабочим оборудованием, на котором можно будет проводить полный цикл операций.
На втором этапе в 2026 г. появится «бета-машина». Системы оборудования будут улучшены и усложнены, увеличится разрешение, повысится производительность, многие операции будут роботизированы, отмечается на сайте нижегородской стратегии. Установку уже можно будет применять на масштабных производствах.
И на третьем этапе (2026-2028 гг.) отечественный литограф получит более мощный источник излучения, улучшенные системы позиционирования и подачи, и начнет полноценную работу.
По сравнению, например, с литографами ASML в нижегородской модели источник излучения в разы компактнее и чище в работе, отметил Николай Чхало. По его словам, последнее обстоятельство значительно влияет на стоимость, размеры и сложность оборудования.
На выходе при равной мощности источника излучения отечественная установка будет в 1,5-2 раза эффективнее того, что создано ASML[1].
Примечания
